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2SB163晶体管资料

  • 2SB163别名：2SB163三极管、2SB163晶体管、2SB163晶体三极管

  • 2SB163生产厂家：日本日电公司

  • 2SB163制作材料：Ge-PNP

  • 2SB163性质：低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）

  • 2SB163封装形式：直插封装

  • 2SB163极限工作电压：30V

  • 2SB163最大电流允许值：0.1A

  • 2SB163最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB163引脚数：3

  • 2SB163最大耗散功率：0.125W

  • 2SB163放大倍数：β=75

  • 2SB163图片代号：D-9

  • 2SB163vtest：30

  • 2SB163htest：999900

  • 2SB163atest：0.1

  • 2SB163wtest：0.125

  • 2SB163代换 2SB163用什么型号代替：AC122,AC125,AC126,AC151,AC152,2N1191,2N1192,2N1193,2N11194,2SB54,2SB56,3AX51A,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1631

SiliconPNPepitaxialplanartype(Forpoweramplification)

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpoweramplification ■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1638

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=90(Min)@IC=-2A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1638

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=90(Min)@IC=-2A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1638

SiliconPNPepitaxialplanartype(Forlow-voltageswitching)

SiliconPNPepitaxialplanartype Forlow-voltageswitching ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●Itypepackageenablingdirectsolderingoftheradiatingfintotheprintedcircuitboard,etc.ofsma

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1638-251

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=90(Min)@IC=-2A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1638-252

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=90(Min)@IC=-2A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1638A

SiliconPNPepitaxialplanartype(Forlow-voltageswitching)

SiliconPNPepitaxialplanartype Forlow-voltageswitching ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●Itypepackageenablingdirectsolderingoftheradiatingfintotheprintedcircuitboard,etc.ofsma

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1639

High-currentgainPowerTransistor(-60V,-3A)

2SB1639(-60V,-3A) 2SD2318,2SD1944(60V,3A) HighDCcurrentgain.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SB163供应商更多...

更新时间：2025-5-17 20:00:00
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深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1640
TOSHIBA/东芝
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2SB1640
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2SB1640
TOSHIBA/东芝
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2SB1640
TOSHIBA/东芝
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TO-126F
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