2SB1602晶体管资料
2SB1602别名：2SB1602三极管、2SB1602晶体管、2SB1602晶体三极管
2SB1602生产厂家：
2SB1602制作材料：Si-PNP
2SB1602性质：HI_BETA
2SB1602封装形式：直插封装
2SB1602极限工作电压：60V
2SB1602最大电流允许值：3A
2SB1602最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1602引脚数：3
2SB1602最大耗散功率：1.3W
2SB1602放大倍数：β>800
2SB1602图片代号：G-221
2SB1602vtest：60
2SB1602htest：999900
- 2SB1602atest：3
2SB1602wtest：1.3
2SB1602代换 2SB1602用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1602 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • High DC Current Gain : hFE(1) = 300- 1000 • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = -0.5V(Typ.) • Complementary to 2SD2462 | TOSHIBA 东芝 |   | |
2SB1602 | TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
2511 |
CAN to-39 |
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ST |
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ST |
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NEC |
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NEC |
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2SB1602参数引脚图相关
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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