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2SB1574晶体管资料

  • 2SB1574别名：2SB1574三极管、2SB1574晶体管、2SB1574晶体三极管

  • 2SB1574生产厂家：

  • 2SB1574制作材料：Si-PNP

  • 2SB1574性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SB1574封装形式：直插封装

  • 2SB1574极限工作电压：50V

  • 2SB1574最大电流允许值：2A

  • 2SB1574最大工作频率：150MHZ

  • 2SB1574引脚数：3

  • 2SB1574最大耗散功率：10W

  • 2SB1574放大倍数：

  • 2SB1574图片代号：A-80

  • 2SB1574vtest：50

  • 2SB1574htest：150000000

  • 2SB1574atest：2

  • 2SB1574wtest：10

  • 2SB1574代换 2SB1574用什么型号代替：2SB838,2S1184,2SB1201,2SB1241,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1574

Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification)

For low-frequency output amplification ■ Features ● Possible to solder radiation fin directly to printed cicuit boad ● Type with universal characteristics ● Collector breakdown voltage: VCBO/VCEO = –50V ● Collector current: IC = –2A

PANASONIC

松下

2SB1574

Silicon PNP Epitaxial Planar Type

Features Possible to tsolder radiation fin directly to printed circuit boad. Type with universal characteristics. High collector-base voltage (Emitter open) VCBO. High collector-emitter voltage (Base open) VCEO. Large collector current IC.

KEXIN

科信电子

2SB1574

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1574

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1574

Silicon PNP epitaxial planar type Power Transistor

For low-frequency output amplification■ ● Possible to solder radiation fin directly to printed cicuit boad\n● Type with universal characteristics\n● Collector breakdown voltage: VCBO/VCEO = –50V\n● Collector current: IC = –2A;

PANASONIC

松下

2SB1574-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1574-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= -0.2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1574_15

PNP Transistors

文件：454.95 Kbytes Page：1 Pages

KEXIN

科信电子

2SB157400L

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 50V 2A U-G2 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PANASONIC

松下

2SB1574-R

PNP Transistors

文件：454.95 Kbytes Page：1 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1574-S

PNP Transistors

文件：454.95 Kbytes Page：1 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1574产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1574

  • 功能描述

    TRANS PNP 50VCEO 2A U-G2

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

2SB1574供应商更多...

更新时间：2026-5-15 14:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
2SB1578-T1
NEC
08+
SOT-89L
850
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-251
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深圳市卓越微芯电子有限公司
2SB1578-T1
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SOT-89L
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市博中泰实业有限公司
2SB157400L
PANASONIC/松下
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全新原装现货
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2SB1578\GB2
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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