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2SB1566	For Power Amplification (-60V, -3A) 2SB1566 Power Transistor(-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.3V at IC / IB = -2A / -0.2A 2) Wide SOA (safe operating area). 3) Complements the 2SD2395. 2SD2395 Power Transistor(50V, 3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.2V at	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1566	丝印代码：C7；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1566	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Excellent DC current gain characteristics • Low collector saturation voltage • Wide SOA (safe operating area) • Complement to type 2SD2395	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1566	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Excellent DC current gain characteristics ·Low collector saturation voltage ·Wide SOA (safe operating area) ·Complement to type 2SD2395	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1566	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Excellent DC current gain characteristics ·Low collector saturation voltage ·Wide SOA (safe operating area) ·Complement to type 2SD2395	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2026-5-15 15:28:02

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9