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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SB1555	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • High Breakdown Voltage : VCEO = -140V (Min) • Complementary to 2SD2384	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1555	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= -6A ·Complement to Type 2SD2384 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications	ISC 无锡固电	ISC
2SB1555	TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (DARLINGTON POWER TRANSISTOR) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

2SB1555供应商更多...

更新时间：2025-12-25 11:42:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1559	SANKEN	23+	TO-3P	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9