2SB1555晶体管资料
2SB1555别名：2SB1555三极管、2SB1555晶体管、2SB1555晶体三极管
2SB1555生产厂家：
2SB1555制作材料：Si-P+Darl
2SB1555性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SB1555封装形式：直插封装
2SB1555极限工作电压：140V
2SB1555最大电流允许值：7A
2SB1555最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1555引脚数：3
2SB1555最大耗散功率：100W
2SB1555放大倍数：β>5000
2SB1555图片代号：B-62
2SB1555vtest：140
2SB1555htest：999900
- 2SB1555atest：7
2SB1555wtest：100
2SB1555代换 2SB1555用什么型号代替：2SB1470,2SB1490,2SB1503,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1555 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • High Breakdown Voltage : VCEO = -140V (Min) • Complementary to 2SD2384 | TOSHIBA 东芝 |   | |
2SB1555 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= -6A ·Complement to Type 2SD2384 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications | ISC 无锡固电 | | |
2SB1555 | TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (DARLINGTON POWER TRANSISTOR) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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支持实单 价格优势 有单必成
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2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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