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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
2SB1429_R1_00001	PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)	PANJIT 強茂	PANJIT
2SB1429_R1_00001	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）描述：TRANS PNP 20V 3A SOT23 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	PANJIT 強茂	PANJIT

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更新时间：2025-8-15 17:39:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9