2SB1404晶体管资料
2SB1404别名：2SB1404三极管、2SB1404晶体管、2SB1404晶体三极管
2SB1404生产厂家：日本日立公司
2SB1404制作材料：Si-P+Darl+Di
2SB1404性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SB1404封装形式：直插封装
2SB1404极限工作电压：120V
2SB1404最大电流允许值：3A
2SB1404最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1404引脚数：3
2SB1404最大耗散功率：25W
2SB1404放大倍数：β>1000
2SB1404图片代号：B-45
2SB1404vtest：120
2SB1404htest：999900
- 2SB1404atest：3
2SB1404wtest：25
2SB1404代换 2SB1404用什么型号代替：BDT60CF,2SB1228,2SB1252,2SB1340,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1404 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications | SAVANTIC |   | |
2SB1404 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. | ISC 无锡固电 | | |
2SB1404 | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage-.. :V(BR)cEo=-120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5A APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | |
2SB1404 | Silicon PNP Power Transistors 文件：130.5 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2012-11-9
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