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2SB139100MA

LOWIRSCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS

DESCRIPTION ➤2SB139100MAisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Duetospecialschottkybarrierstructure,thechips haveverylowreverseleakagecurrent(typical IR=0.002mA@Vr=100V)andmaximum150°C opera

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SILAN
更新时间:2025-6-15 23:00:00
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