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精确

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2SB1386T100Q	Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.	ROHM 罗姆	ROHM
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2SB1386T100P供应商更多...

更新时间：2025-12-30 22:58:01

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9