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2SB1361	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD2052 • High transition frequency • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For high power amplification	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1361	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min) • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD2052 APPLICATIONS • Designed for high power amplifications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB1361	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=-150V(Min) • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD2052 APPLICATIONS • Designed for high power amplifications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1361	Power Device - Power Transistors - For Audio	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1361	Silicon PNP Power Transistors 文件：124.38 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2025-10-29 23:00:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
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2021-9-10
2SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9