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芯片资料

参考价格：￥5.5862

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2SB1351	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@IC= -10A • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Driver for printer head solenoid, relay and motor and general purpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1351	封装/外壳：TO-220-3 整包包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS PNP DARL 60V 12A TO220F 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社
2SB1351	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor 文件：35.66 Kbytes Page：1 Pages	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社
2SB1351_07	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor 文件：35.18 Kbytes Page：1 Pages	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社

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更新时间：2025-8-6 11:10:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
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2022-3-30
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2021-9-10
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2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9