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2SB1346Q,R,S晶体管资料
2SB1346Q,R,S别名：2SB1346Q,R,S三极管、2SB1346Q,R,S晶体管、2SB1346Q,R,S晶体三极管
2SB1346Q,R,S生产厂家：日本三洋公司
2SB1346Q,R,S制作材料：Si-PNP
2SB1346Q,R,S性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
2SB1346Q,R,S封装形式：直插封装
2SB1346Q,R,S极限工作电压：60V
2SB1346Q,R,S最大电流允许值：3A
2SB1346Q,R,S最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1346Q,R,S引脚数：3
2SB1346Q,R,S最大耗散功率：30W
2SB1346Q,R,S放大倍数：
2SB1346Q,R,S图片代号：B-10
2SB1346Q,R,Svtest：60
2SB1346Q,R,Shtest：999900
- 2SB1346Q,R,Satest：3
2SB1346Q,R,Swtest：30
2SB1346Q,R,S代换 2SB1346Q,R,S用什么型号代替：2SB943,2SB941,2SB1089,2SB1369,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon PNP Power Transistor 文件：265.07 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | ||
Silicon PNP Power Transistor 文件：134.11 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
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2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SA2198
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2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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