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2SB1344	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=-100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VGt= -3V, lc= -2A) • Complement to Type 2SD2025 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1344	Trans Darlington PNP 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP	ETC 知名厂家	ETC
2SB1344	Silicon PNP Power Transistors 文件：124.07 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2025-11-28 17:00:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
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2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9