2SB1343晶体管资料

  • 2SB1343别名:2SB1343三极管、2SB1343晶体管、2SB1343晶体三极管

  • 2SB1343生产厂家:TOY

  • 2SB1343制作材料:Si-P+Darl+Di

  • 2SB1343性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB1343封装形式:直插封装

  • 2SB1343极限工作电压:100V

  • 2SB1343最大电流允许值:8A

  • 2SB1343最大工作频率:12MHZ

  • 2SB1343引脚数:3

  • 2SB1343最大耗散功率:40W

  • 2SB1343放大倍数:β=10000

  • 2SB1343图片代号:B-10

  • 2SB1343vtest:100

  • 2SB1343htest:12000000

  • 2SB1343atest:8

  • 2SB1343wtest:40

  • 2SB1343代换 2SB1343用什么型号代替:BD652,BD9022,BDW47C,BDX54C,2SB791(K),2SB886,2SB1195,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1343

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

ROHM

罗姆

2SB1343

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220C package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For low frequency power amplifier and power driver applications

SAVANTIC

2SB1343

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A) APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications.

ISC

无锡固电

2SB1343

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A) APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1343

Silicon PNP Power Transistors

文件:106.57 Kbytes Page:3 Pages

SAVANTIC

更新时间:2025-10-29 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
24+
NA/
200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ROHM
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
ROHM/罗姆
22+
TO-220
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十年配单,只做原装

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    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

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  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单 价格优势 有单必成

    2022-3-30
  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10
  • 2SA2198

    2SA2198,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24
  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下: ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS(“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息) ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9