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2SB1241I

80V,1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

GALAXYCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

Power Transistor

Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733.

ROHM

罗姆

Power Transistor (-80V, -1A)

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Power Transistor (−80V, −1A)

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Power Transistor (-80V, -1A)

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-10-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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