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位置：首页 > IC中文资料第1148页 > 2SB124

2SB124晶体管资料

  • 2SB124别名：2SB124三极管、2SB124晶体管、2SB124晶体三极管

  • 2SB124生产厂家：日本东芝公司

  • 2SB124制作材料：Ge-PNP

  • 2SB124性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SB124封装形式：

  • 2SB124极限工作电压：60V

  • 2SB124最大电流允许值：15A

  • 2SB124最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB124引脚数：

  • 2SB124最大耗散功率：40W

  • 2SB124放大倍数：

  • 2SB124图片代号：NO

  • 2SB124vtest：60

  • 2SB124htest：999900

  • 2SB124atest：15

  • 2SB124wtest：40

  • 2SB124代换 2SB124用什么型号代替：2N1550,2N1551,2N1552,2N1554,2N1555,2N1556,1N1558,2N1559,2N1560,2N2076,2N2080,3AD56A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1240

Medium power Transistor(-32V, -2A)

● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1240

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available.

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium power transistor (-32V, -2A)

● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium power transistor (32V,2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements 2SD1758 / 2SD1862.

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium power transistor (32V, 2A)

Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium power transistor (-32V, -2A)

● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium power transistor (32V, 2A)

Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1240

Medium power Transistor(32V,2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.

ROHM

罗姆

2SB124040ML

SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB124040ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Low power losses, high efficiency; ➤ Guard ring construction for transient protection; ➤ High ESD capability; ➤ High surge capability; ➤ Packaged products are widely use

SILAN

士兰微

2SB124060ML

SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB124060ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Low power losses, high efficiency; ➤ Guard ring construction for transient protection; ➤ High ESD capability; ➤ High surge capability; ➤ Packaged products are widely use

SILAN

士兰微

2SB1240P

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

ROHM

罗姆

2SB1240Q

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

ROHM

罗姆

2SB1240R

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

ROHM

罗姆

2SB1241

Power Transistor

Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733.

ROHM

罗姆

2SB124100ML

SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB124100ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Low power losses, high efficiency; ➤ Guard ring construction for transient protection; ➤ High ESD capability; ➤ High surge capability; ➤ Packaged products are widely use

SILAN

士兰微

2SB1243

Power Transistor (-60V, -3A)

● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1243

Power Transistor (-60V, -3A)

● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

2SB1244

LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER

SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1245

LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER

SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1240

Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package

文件：820.82 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SB124040ML

肖特基二极管芯片

SILAN

士兰微

2SB124060ML

肖特基二极管芯片

SILAN

士兰微

2SB1240TV2P

TRANS PNP 32V 2A ATV

ROHM

罗姆

2SB1240TV2Q

封装/外壳：3-SIP 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS PNP 32V 2A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SB1240TV2R

封装/外壳：3-SIP 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS PNP 32V 2A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SB1241

Power Transistor (−80V, −1A)

文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1241

Power Transistor (-80V, -1A)

文件：203.61 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1241

Power Transistor (-80V, -1A)

文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243

Power Transistor (−60V, −3A)

文件：95.47 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243

Power Transistor (-60V, -3A)

文件：244.61 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243

Epitaxial Planar PNP Silicon Transistors

文件：46.71 Kbytes Page：1 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243

Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package

文件：807.11 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SB1243

Power Transistor (-60V, -3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243

Power Transistor (-60V, -3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243

Power Transistor (-60V, -3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SB1243TV2Q

Power Transistor (-60V, -3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SB124产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB124

  • 功能描述

    Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP

2SB124供应商更多...

更新时间：2025-12-25 8:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市英科美电子有限公司
2SB1243
ROHM/罗姆
2223+
TO-92
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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深圳市凌旭科技有限公司
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ROHM
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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深圳市弘为电子有限公司
2SB1243
ROHM
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原厂封装
2500
原装现货假一罚十
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深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1243TV2R
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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深圳市赛美科科技有限公司
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NA
8553
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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深圳市正纳电子有限公司
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Rohm(罗姆)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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标准国际(香港)有限公司
2SB1243TV2R
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1500
1500
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深圳市昌和盛利电子有限公司
2SB1243TV2R
ROHM
NEW
原厂封装
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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深圳市明嘉莱科技有限公司
2SB1243TV2R
ROHM/罗姆
25+
PBFREEATV
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价

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    2023-3-14

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    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单 价格优势 有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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