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2SB124晶体管资料

  • 2SB124别名：2SB124三极管、2SB124晶体管、2SB124晶体三极管

  • 2SB124生产厂家：日本东芝公司

  • 2SB124制作材料：Ge-PNP

  • 2SB124性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SB124封装形式：

  • 2SB124极限工作电压：60V

  • 2SB124最大电流允许值：15A

  • 2SB124最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB124引脚数：

  • 2SB124最大耗散功率：40W

  • 2SB124放大倍数：

  • 2SB124图片代号：NO

  • 2SB124vtest：60

  • 2SB124htest：999900

  • 2SB124atest：15

  • 2SB124wtest：40

  • 2SB124代换 2SB124用什么型号代替：2N1550,2N1551,2N1552,2N1554,2N1555,2N1556,1N1558,2N1559,2N1560,2N2076,2N2080,3AD56A,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1240

MediumpowerTransistor(-32V,-2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

MediumPowerTransistor(32V,2A)

FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

Mediumpowertransistor(-32V,-2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

Mediumpowertransistor(-32V,-2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240

MediumpowerTransistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB124040ML

SCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS

DESCRIPTION ➤2SB124040MLisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Lowpowerlosses,highefficiency; ➤Guardringconstructionfortransientprotection; ➤HighESDcapability; ➤Highsurgecapability; ➤Packagedproductsarewidelyuse

SILANSilan

士兰

SILAN
2SB124060ML

SCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS

DESCRIPTION ➤2SB124060MLisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Lowpowerlosses,highefficiency; ➤Guardringconstructionfortransientprotection; ➤HighESDcapability; ➤Highsurgecapability; ➤Packagedproductsarewidelyuse

SILANSilan

士兰

SILAN
2SB1240P

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240Q

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1241

PowerTransistor

Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.

ROHMRohm Semiconductor

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ROHM
2SB124100ML

SCHOTTKYBARRIERDIODECHIPS

DESCRIPTION ➤2SB124100MLisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Lowpowerlosses,highefficiency; ➤Guardringconstructionfortransientprotection; ➤HighESDcapability; ➤Highsurgecapability; ➤Packagedproductsarewidelyuse

SILANSilan

士兰

SILAN
2SB1243

PowerTransistor(-60V,-3A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

PowerTransistor(-60V,-3A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1244

LOWFREQUENCYHIGHVOLTAGEAMPLIFIER

SILICONPNPEPITAXIAL LOWFREQUENCYHIGHVOLTAEAMPLIFIER

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi
2SB1245

LOWFREQUENCYHIGHVOLTAGEAMPLIFIER

SILICONPNPEPITAXIAL LOWFREQUENCYHIGHVOLTAEAMPLIFIER

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi
2SB1240

SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage

文件：820.82 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1240TV2Q

封装/外壳：3-SIP 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS PNP 32V 2A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1240TV2R

封装/外壳：3-SIP 包装：剪切带（CT） 描述：TRANS PNP 32V 2A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1241

PowerTransistor(−80V,−1A)

文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1241

PowerTransistor(-80V,-1A)

文件：203.61 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1241

PowerTransistor(-80V,-1A)

文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

PowerTransistor(−60V,−3A)

文件：95.47 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

PowerTransistor(-60V,-3A)

文件：244.61 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

EpitaxialPlanarPNPSiliconTransistors

文件：46.71 Kbytes Page：1 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage

文件：807.11 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1243

PowerTransistor(-60V,-3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

PowerTransistor(-60V,-3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243

PowerTransistor(-60V,-3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1243TV2Q

PowerTransistor(-60V,-3A)

文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SB124产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB124

  • 功能描述

    Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP

2SB124供应商更多...

更新时间：2024-4-19 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SB1243
ROHM
2016+
TO-92L
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1243
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
1205
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SB1243TV2
ROHM
2023+
原厂封装
50000
原装现货
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SB1243
ROHM
20+
TO126F
135000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市艾宇特电子科技有限公司
2SB1243Q
ROHM/罗姆
2048+
TO-92
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SB1243Q
ROHM
1822+
TO-92
6852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
深圳市正纳电子有限公司
2SB1243
Rohm(罗姆)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳兆威电子有限公司
2SB1243
ROHM/罗姆
23+
TO-92L
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
询价
标准国际(香港)有限公司
2SB1243
2SB1243
1500
1500
询价
深圳市特顺芯科技有限公司
2SB1243
FSC
08+
TO-92L
28650
询价

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    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

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    2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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