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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SB1114-M-HF | PNP Transistors 文件：1.11935 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 |   | |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1114 is designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● High DC Current Gain hFE = 135 to 600 ● Low VCE(sat). VCE(sat) = - 0.3 V at 1.5 A ● Complement to 2SD1614 | NEC 瑞萨 | | ||
PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High Dc current gain hFE=135 to 600 ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.3V at 1.5A ● Complementary to 2SD1614 | KEXIN 科信电子 | | ||
PNP Silicon General USE Transistors PNP-Silicon General use Transistors 1W 、 1.5A、 25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | | ||
Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：1.27796 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
PNP Transistors 文件：1.1251 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
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2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
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2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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