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2SB1079	Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1559	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1079	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain-: hFE = 1000(Min)@ IC= -10A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS) = -100V(Min) ·Complement to Type 2SD1559 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB1079	Silicon PNP Triple Diffused 文件：150.12 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1079	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：137.73 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

2SB1079(E)供应商更多...

更新时间：2025-10-4 16:30:02

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
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2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9