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2SB1016晶体管资料

  • 2SB1016别名：2SB1016三极管、2SB1016晶体管、2SB1016晶体三极管

  • 2SB1016生产厂家：日本东芝公司

  • 2SB1016制作材料：Si-PNP

  • 2SB1016性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SB1016封装形式：直插封装

  • 2SB1016极限工作电压：100V

  • 2SB1016最大电流允许值：5A

  • 2SB1016最大工作频率：5MHZ

  • 2SB1016引脚数：3

  • 2SB1016最大耗散功率：30W

  • 2SB1016放大倍数：

  • 2SB1016图片代号：B-10

  • 2SB1016vtest：100

  • 2SB1016htest：5000000

  • 2SB1016atest：5

  • 2SB1016wtest：30

  • 2SB1016代换 2SB1016用什么型号代替：2SA1077,2SA1441,2SB920L,2SB1016,2SB1063,2SB1095,2SB1294,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1016

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)

POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT ● Complement to 2SD1407

WINGS

永盛电子

2SB1016

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS • Power amplifier applications

SAVANTIC

2SB1016

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS • Power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SB1016

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(satr -2.0V(Max)@lc= -4A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SD1407 APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SB1016

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)

WINGS

永盛电子

2SB1016

Silicon PNP Power Transistors

文件：218.74 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1016

Silicon PNP Power Transistors

文件：163.44 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SB1016A

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −100 V • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −2.0 V (max) • Complementary to 2SD1407A

TOSHIBA

东芝

2SB1016A

Power transistor for low frequency applications

Polarity：PNP\nComplementary Product：2SD1407A\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC -5 A \nCollector-emitter voltage VCEO -100 V ;

TOSHIBA

东芝

2SB1016_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：218.74 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1016_2014

Silicon PNP Power Transistors

文件：218.74 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SB1016A

Power Amplifier Applications

文件：131.51 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SB1016A_07

Power Amplifier Applications

文件：131.51 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SB1016产品属性

  • 类型

    描述

  • Product Category：

    Power transistor for low frequency applications

  • Package name(Toshiba)：

    TO-220NIS

  • Recommended Product 1：

    TTA1452B(Almost same package but similar characteristics)

2SB1016供应商更多...

更新时间：2026-5-14 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SB1016-R
TOSHIBA/东芝
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2SB1016A
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2SB1016
TOSHIBA/东芝
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2SB1016芯片相关品牌

2SB1016规格书下载地址

2SB1016参数引脚图相关

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    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

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    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

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    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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