| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SAR293PHZG | PNP 中功率晶体管 (-30V / -1A) 2SAR293PHZG是低VCE(sat)的晶体管，适合低频放大用途。是车载级的高可靠性双极晶体管。 • Low saturation voltage VCE(sat)=-350mV(Max.)(IC/IB=-500mA/-25mA)\n• AEC-Q101 Qualified; | ROHM 罗姆 |   | |
封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 30V 1A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | ||
丝印代码：T100；Midium Power Transistors (-30V / -1A) 文件：529.39 Kbytes Page：6 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
PNP -1.0A -30V Middle Power Transistor 文件：428.92 Kbytes Page：8 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
丝印代码：ML；Middle Power Transistor (-30V / -1A) 文件：1.46644 Mbytes Page：8 Pages | ROHM 罗姆 | |
2SAR293PHZG产品属性
- 类型
描述
- 封装：
MPT3
- 包装数量：
1000
- 最小独立包装数量：
1000
- 包装形态：
Taping
- RoHS：
Yes
- Supply Status：
Recommended
- Package Code：
SOT-89
- JEITA Package：
SC-62
- Number of terminal：
3
- Polarity：
PNP
- Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-30
- Collector current Io(Ic) [A]：
-1
- hFE：
270 to 680
- Mounting Style：
Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
- Package Size [mm]：
4.5x4 (t=1.5)
- Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
2511 |
SOT-89 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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CJ/长电 |
24+ |
CELL |
50000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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TOSHIBA |
23+ |
SMD |
120000 |
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BRIGHTEK弘凯光电 |
23+ |
0603 |
4530 |
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26+ |
N/A |
74000 |
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TOS |
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TO-92L |
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ROHM/罗姆 |
2025+ |
SOT-89 |
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BRIGHTEK(弘凯光电) |
2447 |
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115000 |
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Panasonic-SSG |
24+ |
TO-92L |
1324 |
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JXND/嘉兴南电 |
25+ |
CELL |
50000 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
2SAR293PHZG规格书下载地址
2SAR293PHZG参数引脚图相关
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2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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