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2SA877	isc Silicon PNP Power Transistor Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Dissipation- : PC= 100W(Max.)@TC=25℃ ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -80V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for power amplifier and general purpose applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SA877	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage	JMNIC 锦美电子	JMNIC
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2SA877_15	Silicon PNP Power Transistors 文件：154.62 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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更新时间：2025-12-25 11:53:00

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深圳市博中泰实业有限公司	2SA885-S	PANASONIC/松下	24+	TO-126F	60000		询价

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2023-3-14
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2023-2-1
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2022-4-15
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
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2022-3-30
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2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9