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2SA877	isc Silicon PNP Power Transistor Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Dissipation- : PC= 100W(Max.)@TC=25℃ ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -80V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for power amplifier and general purpose applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SA877	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA877	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA877	Silicon PNP Power Transistors 文件：111.66 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA877	Silicon PNP Power Transistors 文件：154.62 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA877	Silicon PNP Power Transistor 文件：125.95 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA877	Trans GP BJT PNP 200V 0.07A 3-Pin TO-92L-A1	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA877_15	Silicon PNP Power Transistors 文件：154.62 Kbytes Page：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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更新时间：2026-5-14 22:30:00

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2023-3-14
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2023-2-1
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2022-4-15
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2022-3-30
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2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9