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2SA818	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -160V(Min) · Good Linearity of hFE · Complement to Type 2SC1628 APPLICATIONS · Power Amplifier Applications. · Driver Stage Amplifier Applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SA818	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：149.67 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA818	TRANSISTOR 文件：192.33 Kbytes Page：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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更新时间：2026-5-14 14:11:00

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2023-3-14
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2020-4-24
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2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9