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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -55V (Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= -0.5V (Max.)@ IC= -1A ·Collector Power Dissipation-: PC= 25W@ TC= 25℃ APPLICATIONS ·Designed for medium power amplifier applications. | ISC 无锡固电 |   |
2SA614R产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SA614R
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
更新时间：2025-11-28 14:12:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEC |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FSC |
03+ |
TO-220 |
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ST |
25+ |
CAN to-39 |
16900 |
原装，请咨询 |
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ST |
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CAN to-39 |
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TO-220 |
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24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
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NEC |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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FAIRCHILD支持实单 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
||||
FAIR |
24+ |
原厂封装 |
5620 |
原装现货假一罚十 |
2SA614R规格书下载地址
2SA614R参数引脚图相关
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2022-4-152SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SA2198
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2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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