2SA1952晶体管资料
2SA1952别名：2SA1952三极管、2SA1952晶体管、2SA1952晶体三极管
2SA1952生产厂家：TOY
2SA1952制作材料：Si-PNP
2SA1952性质：射频/高频放大 （HF）_功率放大 （L）
2SA1952封装形式：直插封装
2SA1952极限工作电压：60V
2SA1952最大电流允许值：10A
2SA1952最大工作频率：<300MHZ
2SA1952引脚数：3
2SA1952最大耗散功率：10W
2SA1952放大倍数：β=82-270
2SA1952图片代号：H-92
2SA1952vtest：60
2SA1952htest：299970000
- 2SA1952atest：10
2SA1952wtest：10
2SA1952代换 2SA1952用什么型号代替：
2SA1952价格
参考价格：￥3.7037
型号：2SA1952TLQ 品牌：Rohm 备注：这里有2SA1952多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SA1952批发/采购报价，2SA1952行情走势销售排行榜，2SA1952报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SA1952 | PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Low Collector Saturation Voltage • Suitable for Middle Power Driver • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Marking: A1952 | MCC |   | |
2SA1952 | TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● -5A,-60V Middle Power Transistor ● Suitable for Middle Power Driver ● Complementary NPN Types:2SC5103 ● Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS ● Middle Power Driver ● LED Driver ● Power Supply | JIANGSU 长电科技 | | |
2SA1952 | High-speed Switching Transistor (-60V, -5A) Features 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SC5103 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.3V(Max.) (IC/IB= -3A/ -0.15A) VCE(sat)= -0.5V(Max.) (IC/IB= -4A / -0.2A) 4) Lead Free/RoHS Compliant. Applications Motor driver , LED driver Power supply | ROHM 罗姆 | | |
2SA1952 | isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)= -0.3(V)(Max)@IC= -3A • High Switching Speed • Complement to Type 2SC5103 • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for high current switching a | ISC 无锡固电 | | |
2SA1952 | 中等功率双极型晶体管 | MCC | | |
2SA1952 | 晶体管 | JSCJ 长晶科技 | | |
2SA1952 | Driver Transistor | ROHM 罗姆 | | |
2SA1952 | For high speed switching (−60V, −5A 文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages | ROHM 罗姆 | | |
2SA1952 | For high speed switching (−60V, −5A) 文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages | ROHM 罗姆 | | |
2SA1952 | High-speed Switching Transistor (−60V, −5A) 文件：77.02 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | |
2SA1952 | High-speed Switching Transistor (-60V, -5A) 文件：164.57 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | |
High-speed Switching Transistor (-60V, -5A) 文件：164.57 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
High-speed Switching Transistor (−60V, −5A) 文件：77.02 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
High-speed Switching Transistor (-60V, -5A) 文件：107.11 Kbytes Page：3 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：TRANS PNP 60V 5A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | ||
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：散装 描述：TRANS PNP 60V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC | |
2SA1952产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SA1952
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP 60V 5A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ROHM/罗姆 |
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TO252 |
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2SP0115T2C0-12
2022-4-152SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-24
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