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2SA1942晶体管资料

  • 2SA1942别名：2SA1942三极管、2SA1942晶体管、2SA1942晶体三极管

  • 2SA1942生产厂家：

  • 2SA1942制作材料：Si-PNP

  • 2SA1942性质：低频或音频放大 （LF）_HIFI_输出极 （E）

  • 2SA1942封装形式：直插封装

  • 2SA1942极限工作电压：180V

  • 2SA1942最大电流允许值：12A

  • 2SA1942最大工作频率：30MHZ

  • 2SA1942引脚数：3

  • 2SA1942最大耗散功率：120W

  • 2SA1942放大倍数：

  • 2SA1942图片代号：B-62

  • 2SA1942vtest：180

  • 2SA1942htest：30000000

  • 2SA1942atest：12

  • 2SA1942wtest：120

  • 2SA1942代换 2SA1942用什么型号代替：2SA1302,2SB1317,2SB1429,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1942

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO= −160 V (min) • Complementary to 2SC5199 • Recommended for 80-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage

TOSHIBA

东芝

2SA1942

Silicon PNP Power Transistors

Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SC5199 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage

SAVANTIC

2SA1942

Silicon PNP Power Transistors

Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SC5199 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage

JMNIC

锦美电子

2SA1942

Silicon PNP Power Transistors

Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SC5199 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage

ISC

无锡固电

2SA1942

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=-160V(Min) • Complement to Type 2SC5199 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for SOW high fidelity audio frequency amplifier output stage applications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA1942

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SA1942

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Audio amplifier output stage 80-W\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC5199\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -12 A \nCollector power dissipation PC 120 W \nCollector-emitter voltage VCEO -160 V ;

TOSHIBA

东芝

2SA1942

Power Amplifier Applications

文件：141.45 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1942

Trans GP BJT PNP 160V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA1942

音频功放晶体管

THUNDERSOFT

中科创达

2SA1942

Silicon PNP Power Transistors

文件：208.31 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA1942_06

Power Amplifier Applications

文件：141.45 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1942_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：208.31 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA1942产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    PNP

  • Features：

    Power Amps Output Stage

  • VCEO(Max)(V)：

    -160

  • IC(Max)(A)：

    -12

  • hFE(Min)：

    55

  • hFE(Max)：

    160

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    -2.5

  • fT(Typ.)(MHz)：

    30

  • ComplementaryProduct：

    2SC5199

  • Comments：

    Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    N

  • Package name：

    TO-3P(L)

  • Width×Length×Height(mm)：

    20.0 x 26.0 x 5.0

2SA1942供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SA1943
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