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2SA181晶体管资料

  • 2SA181别名：2SA181三极管、2SA181晶体管、2SA181晶体三极管

  • 2SA181生产厂家：日本三洋公司

  • 2SA181制作材料：Ge-PNP

  • 2SA181性质：射频/高频放大 （HF）_中频放大 （ZF）

  • 2SA181封装形式：直插封装

  • 2SA181极限工作电压：15V

  • 2SA181最大电流允许值：0.01A

  • 2SA181最大工作频率：5MHZ

  • 2SA181引脚数：3

  • 2SA181最大耗散功率：

  • 2SA181放大倍数：

  • 2SA181图片代号：C-47

  • 2SA181vtest：15

  • 2SA181htest：5000000

  • 2SA181atest：0.01

  • 2SA181wtest：0

  • 2SA181代换 2SA181用什么型号代替：AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA201,2SA202,2SA203,3AG53A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1810

Silicon PNP Epitaxial

Features • Excellent high frequency characteristics fT = 300 MHz typ • High voltage and low output capacitance VCEO = –200 V, Cob = 5.0 pF typ • Suitable for wide band video amplifier Application High frequency amplifier

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SA1811

TRANSISTOR (LOW FREQUENCY, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS

LOW FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS. • Excellent hFE Linearity : hFE(2)=35(Min.), (VCE= -2V, IC= -300mA) • Complementary to 2SC4707

TOSHIBA

东芝

2SA1812

丝印代码：AJ*；High-voltage Switching Transistor (-400V, -0.5A)

High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.3V at IC / IB = -100mA / -10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1μs at IC = -100mA. 4) Wide SOA (safe operati

ROHM

罗姆

2SA1812

丝印代码：AJ*；High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply)

High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= -400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.3V at IC / IB = -100mA / -10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1μs at IC = -100mA. 4) Wide SOA (safe operati

ROHM

罗姆

2SA1812

丝印代码：AJ*；PNP Transistors

■ Features ● High breakdown voltage, BVCEO=-400V. ● High switching speed, typically tf :1us at IC =-100mA. ●High-voltage Switching Transistor

KEXIN

科信电子

2SA1812

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): -1.0V(Max) @IC= -0.1A APPLICATIONS ·High-voltage Switching Transistor ·Telephone power supply

ISC

无锡固电

2SA1812

High voltage Transistor

•耐高圧表面安装型三极管;

ROHM

罗姆

2SA1813

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors

Features ● Very small-sized package. ● Adoption of FBET process. ● High DC current gain (hFE=500 to 1200). ● Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat) ≤ 0.3V). ● High VEBO (VEBO ≥ 15V).

KEXIN

科信电子

2SA1813

Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver, Muting Circuit Applications?

Features • Very small-sized package permitting 2SA1813-applied sets to be made smaller and slimmer. • Adoption of FBET process. • High DC current gain (hFE=500 to 1200). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.3V). • High VEBO (VEBO≥15V).

SANYO

三洋

2SA1814

Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver, Muting Circuit Applications???

Features · Very small-sized package permitting 2SA1814-applied sets to be made smaller and slimmer. · Adoption of FBET process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCEO(sat)≤0.3V). · High VEBO(VEBO≥15V).

SANYO

三洋

2SA1815

FM,RM,MIX,IF Amp, High-Frequency General-Purpose Amp Applications???

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • High power gain : PG=25dB (f=100MHz). • High cutoff frequency ; fT=750MHz typ. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Complementary pair with the 2SC4432.

SANYO

三洋

2SA1816

Silicon PNP epitaxial planer type

Features ● High collector to emitter voltage VCEO.

PANASONIC

松下

2SA1811

TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE LOW FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

2SA1812

丝印代码：AJ*；High-voltage Switching Transistor ( 400V, 0.5A)

文件：31.81 Kbytes Page：1 Pages

ROHM

罗姆

2SA1812_1

High-voltage Switching Transistor ( 400V, 0.5A)

文件：31.81 Kbytes Page：1 Pages

ROHM

罗姆

2SA1812_15

PNP Transistors

文件：1.16429 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1812-HF_15

PNP Transistors

文件：1.14259 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1812T100Q

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：TRANS PNP 400V 0.5A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SA1813

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications

ONSEMI

安森美半导体

2SA1813_15

PNP Transistors

文件：1.06583 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors

文件：36.14 Kbytes Page：1 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-3

PNP Transistors

文件：1.07575 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-HF

PNP Transistors

文件：1.02846 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-HF-3

PNP Transistors

文件：1.14634 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS3

PNP Transistors

文件：1.07575 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS3-HF

PNP Transistors

文件：1.14634 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS3-HF

PNP Transistors

文件：1.02846 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS4

PNP Transistors

文件：1.07575 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS4-HF

PNP Transistors

文件：1.14634 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS4-HF

PNP Transistors

文件：1.02846 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS5

PNP Transistors

文件：1.07575 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS5-HF

PNP Transistors

文件：1.14634 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1815-JS5-HF

PNP Transistors

文件：1.02846 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1818

1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE

文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages

ROHM

罗姆

2SA1818

丝印代码：TE4；TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT

文件：195.39 Kbytes Page：2 Pages

ROHM

罗姆

2SA1819

丝印代码：TE4；TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT

文件：195.39 Kbytes Page：2 Pages

ROHM

罗姆

2SA181产品属性

  • 类型

    描述

  • Status：

    新设计非推荐

  • 封装：

    MPT3

  • 包装数量：

    1000

  • 最小独立包装数量：

    1000

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    SOT-89

  • JEITA Package：

    SC-62

  • Package Size[mm]：

    4.5x4.0 (t=1.5)

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    PNP

  • Collector Power dissipation PC[W]：

    0.5

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    -400.0

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    -0.5

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

2SA181供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
上海意淼电子科技有限公司
2SA1812
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深圳市正纳电子有限公司
2SA1812
Rohm(罗姆)
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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ROHM/罗姆
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SOT-89
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明嘉莱只做原装正品现货
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