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2SA1579W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ● Power dissipation.(PC=200mW) ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● General purpose application.

BILIN

银河微电

2SA1579W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

GALAXY

银河微电

丝印代码:RR;High-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA)

Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −120V) 2) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S.

ROHM

罗姆

High-Voltage Amplifier Transistor

■ Features ● High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) ● Complements the 2SC4102.

KEXIN

科信电子

PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES • High Breakdown Voltage. (BVCEO = -120V) • Complementary of the 2SC4102

SECOS

喜可士

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ● High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) ● Complements the 2SC4102

HTSEMI

金誉半导体

更新时间:2026-5-14 17:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+
CAN to-39
20000
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20000
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全新 发货1-2天
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2511
CAN to-39
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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