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HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD????

FEATURES ● High fT : fT = 400 MHz ● Complementary to 2SC3739

NEC

瑞萨

SILICON TRANSISTOR

HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

RENESAS

瑞萨

PNP Silicon Epitaxia

■ Features ● High fT : fT =400MHz ● Complementary to 2SC3739

KEXIN

科信电子

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

WINNERJOIN

永而佳

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

更新时间:2025-12-28 11:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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SOT23
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