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2SA1241晶体管资料

  • 2SA1241别名：2SA1241三极管、2SA1241晶体管、2SA1241晶体三极管

  • 2SA1241生产厂家：日本东芝公司

  • 2SA1241制作材料：Si-PNP

  • 2SA1241性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SA1241封装形式：直插封装

  • 2SA1241极限工作电压：50V

  • 2SA1241最大电流允许值：2A

  • 2SA1241最大工作频率：100MHZ

  • 2SA1241引脚数：3

  • 2SA1241最大耗散功率：10W

  • 2SA1241放大倍数：

  • 2SA1241图片代号：A-80

  • 2SA1241vtest：50

  • 2SA1241htest：100000000

  • 2SA1241atest：2

  • 2SA1241wtest：10

  • 2SA1241代换 2SA1241用什么型号代替：2SA1096,2SB1182,2SB1201,2SB1202,2SB1215,2SB1216,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1241

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076

TOSHIBA

东芝

2SA1241

Power Amplifier Applications

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076

TOSHIBA

东芝

2SA1241

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076

TOSHIBA

东芝

2SA1241

丝印代码：A1241；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SA1241

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA1241

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA1241

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Power amplifier\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC3076\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -2 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;

TOSHIBA

东芝

2SA1241

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：197.33 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1241

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

文件：189 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1241-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA1241-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA1241-O

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076

TOSHIBA

东芝

2SA1241-Y

Power Amplifier Applications

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076

TOSHIBA

东芝

2SA1241_09

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：197.33 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1241Y

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

文件：189 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1241产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    PNP

  • Features：

    Low Satulation Voltage

  • VCEO(Max)(V)：

    -50

  • IC(Max)(A)：

    -2

  • hFE(Min)：

    70

  • hFE(Max)：

    240

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    -0.5

  • fT(Typ.)(MHz)：

    100

  • ComplementaryProduct：

    2SC3076

  • Comments：

    Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    New PW-Mold

  • Width×Length×Height(mm)：

    6.5 x 9.5 x 2.3

2SA1241供应商更多...

更新时间：2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
2SA1241-Y(T6L1
TOSHIBA/东芝
2026+
TO-252
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深圳市联世界科技有限公司
2SA1241-Y(Q)
TOSHIBA
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深圳市腾亿芯科技有限公司
2SA1241-Y
TOSHIBA/东芝
25+
20000
原装
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深圳市中飞凌科技有限公司
2SA1241-Y
TOSHIBA/东芝
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TO-252
60000
只有原装,可配单
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深圳诚思涵科技有限公司
2SA1241-Y(T6L1
TOSHIBA
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TO-252
20000
原装现货假一罚十
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深圳市科恒伟业电子有限公司
2SA1241-Y
TOSHIBA
2450+
TO-252
18500
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
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深圳市凯睿晟科技有限公司
2SA1241-Y
TOSHIBA/东芝
21+
2000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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深圳市华斯顿科技有限公司
2SA1241-Y
TOSHIBA
25+23+
TO252
10563
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深圳市一线半导体有限公司
2SA1241
TOS
24+
DIPSMD
450
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深圳市拓亿芯电子有限公司
2SA1241-Y
TOSHIBA/东芝
25+
TO252
9800
全新原装现货,假一赔十
询价

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