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2SA1160晶体管资料

  • 2SA1160别名：2SA1160三极管、2SA1160晶体管、2SA1160晶体三极管

  • 2SA1160生产厂家：日本东芝公司

  • 2SA1160制作材料：Si-PNP

  • 2SA1160性质：LO_SAT

  • 2SA1160封装形式：直插封装

  • 2SA1160极限工作电压：20V

  • 2SA1160最大电流允许值：2A

  • 2SA1160最大工作频率：140MHZ

  • 2SA1160引脚数：3

  • 2SA1160最大耗散功率：0.9W

  • 2SA1160放大倍数：

  • 2SA1160图片代号：A-12

  • 2SA1160vtest：20

  • 2SA1160htest：140000000

  • 2SA1160atest：2

  • 2SA1160wtest：0.9

  • 2SA1160代换 2SA1160用什么型号代替：2SA1382,2SB927,2SB892,2SB985,3CA4A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1160

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURE Power dissipation PCM : 0.9 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -2A Collector-base voltage V(BR)CBO: -20 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

2SA1160

TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain and excellent hFE linearity : hFE (1) = 140 to 600 (VCE = −1 V, IC = −0.5 A) : hFE (2) = 60 (min), 120 (typ.) (VCE = −1 V, IC = −4 A) • Low saturation voltage : VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −2

TOSHIBA

东芝

2SA1160

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain and Excellent hFE Linearity ● Low Saturation Voltage

JIANGSU

长电科技

2SA1160

Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package

Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package Features High DC current gain and excellent hFE linearity, low saturation voltage. Applications Strobe flash, medium power amplifier applications.

FOSHAN

蓝箭电子

2SA1160

TRANSISTOR (PNP)

FEATURE Power dissipation PCM : 0.9 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -2A Collector-base voltage V(BR)CBO: -20 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

WINNERJOIN

永而佳

2SA1160

Power transistor for high-speed switching applications

Polarity：PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC -2 A \nCollector-emitter voltage VCEO -10 V ;

TOSHIBA

东芝

2SA1160

双极型三极管

JESTEK

江智科技

2SA1160

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SA1160

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

文件：162.95 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1160

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

文件：150.17 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1160_07

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

文件：150.17 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1160_09

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

文件：162.95 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1160产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    PNP

  • PCM(W)：

    0.9

  • IC(A)：

    -2

  • VCBO(V)：

    -20

  • VCEO(V)：

    -10

  • VEBO(V)：

    -6

  • hFEMin：

    140

  • hFEMax：

    600

  • hFE@VCE(V)：

    -1

  • hFE@IC(A)：

    -0.5

  • VCE(sat)(V)：

    -0.5

  • VCE(sat)@IC(A)：

    -2

  • VCE(sat)@IB(A)：

    -0.05

  • Package：

    TO-92MOD

2SA1160供应商更多...

更新时间：2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2SA1160-B
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TOSHIBA/东芝
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2SA1160
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