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2SA1001晶体管资料

  • 2SA1001别名:2SA1001三极管、2SA1001晶体管、2SA1001晶体三极管

  • 2SA1001生产厂家:日本富士通公司

  • 2SA1001制作材料:Si-PNP

  • 2SA1001性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SA1001封装形式:直插封装

  • 2SA1001极限工作电压:130V

  • 2SA1001最大电流允许值:8A

  • 2SA1001最大工作频率:40MHZ

  • 2SA1001引脚数:2

  • 2SA1001最大耗散功率:80W

  • 2SA1001放大倍数

  • 2SA1001图片代号:E-44

  • 2SA1001vtest:130

  • 2SA1001htest:40000000

  • 2SA1001atest:8

  • 2SA1001wtest:80

  • 2SA1001代换 2SA1001用什么型号代替:2N6031,2N6379,2SA908,2SA1386(A),2SB555,2SB655,2SB681,3CD10E,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1001

High Current Capability

文件:68.02 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

2SA1001

Silicon PNP Power Transistor

文件:179.61 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA1001

Trans GP BJT PNP 250V 1.5A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA1001产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency:

    80(Typ)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    1500mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    1.5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    250V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    250V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

更新时间:2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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