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芯片资料

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2SA0900	For low-frequency Power amplification Complementary Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency Power amplification Complementary to 2SC1868 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA0900	For low-frequency Power amplification Complementary	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA09000R	封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：散装描述：TRANS PNP 18V 1A TO126B-A1 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	PANASONIC 松下	PANASONIC

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更新时间：2026-5-25 10:50:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SA09000R	Panasonic-SSG	24+	TO-126B-A1	88		询价

2SA1012G-TO252R-R-TG_UTC代理商
2SA1012G-TO252R-R-TG_UTC代理商
2023-2-21
2SA1015G-TO92K-BL-TG_UTC代理商
2SA1015G-TO92K-BL-TG_UTC代理商
2023-2-16
2RL090M-6
商品目录气体放电管（GDT）直流击穿电压(最小值) - 脉冲放电电流 5kA 极间电容 1pF 电极数 2 直流击穿电压(最大值) - 精度 ±20%_ 直流击穿电压(典型值) 90V
2021-7-7
2R5TPF330MFL 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
2R5TPF330MFL 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
2020-8-4
2RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌技术参数
2RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌技术参数
2020-5-8
2SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数：分立半导体产品电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电流（最大值）：100nA（ICBO） DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 功率 - 最大值： 400MW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度：-55°C ~ 125°C 安装类型：通孔封装： TO-226-3， TO-92-3
2020-3-6