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MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • Automotive • Motor Drivers • Switching Voltage Regulators Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Small, thin package (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V) (5) Enhancement mode: Vth = 2.

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • Automotive • Motor Drivers • Switching Voltage Regulators Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Small, thin package (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V) (5) Enhancement mode: Vth =

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东芝

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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