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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2PS06017E32G28213 | IGBT堆栈和IGBT组件 | Infineon 英飞凌 |   | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1100VDC 325A 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
2PS06017E32G28213产品属性
- 类型
描述
- 型号
2PS06017E32G28213
- 功能描述
IGBT 模块 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-19 15:28:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
Infineon Technologies |
25+ |
模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON |
25+ |
模块 |
7 |
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- 2R1500
- 2R-150
- 2R150
- 2R-140
- 2R140
- 2R-1200
- 2R1200
- 2R1000C
- 2R1000B
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2020-7-28
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