位置：首页 > IC中文资料第12659页 > 2PS06012S42G30859
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INFINEON | ETC |   | ||
INFINEON | ETC | | ||
INFINEON | ETC | |
2PS06012S42G30859产品属性
- 类型
描述
- 型号
2PS06012S42G30859
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-8-3 12:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
INFINEON |
23+ |
IGBT |
6316 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
7000 |
|||||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
||||
Infineon Technologies |
25+ |
模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
INFINEON |
1809+ |
模块 |
7 |
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- 3g汽车
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- 2R150A
- 2R1500C
- 2R1500B
- 2R-1500
- 2R1500
- 2R-150
- 2R150
- 2R-140
- 2R140
- 2R-1200
- 2R1200
- 2R1000C
- 2R1000B
- 2R-1000
- 2R1000
- 2R090
- 2R075-6
- 2R00J
- 2QSP24
- 2PS12012E33G30249
- 2PS12012E33G28375
- 2PS12012E33G27261
- 2PS1200R17KE3-4GH
- 2PS1200R17KE3-4G
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- 2PS09017E33G30910
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2020-7-28
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