2PD2150,115价格

参考价格:¥0.7465

型号:2PD2150,115 品牌:NXP 备注:这里有2PD2150,115多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2PD2150,115批发/采购报价,2PD2150,115行情走势销售排行榜,2PD2150,115报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2PD2150,115

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 20V 3A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

20 V, 3 A NPN low VCEsat transistor

General description NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. PNP complement: 2PB1424. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability: IC and ICM ■ High collector current gain

Philips

飞利浦

20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

ETC

知名厂家

20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

2PD2150,115产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2PD2150,115

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 20V 3A 4-Pin(3+Tab)

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia(安世)
24+
SOT-89
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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
XX
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEXPERIA/安世
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恩XP
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