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2N7000_V01

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-6-6 23:01:00
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