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POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=6.0A)

Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE

IRF

International Rectifier

IRF

N-CHANNELMOSFET

N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

N-CHANNELPOWERMOSFETS

N-CHANNELPOWERMOSFETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

N-CHANNELPOWERMOSFETENHANCEMENTMODE

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SEME-LAB

Seme LAB

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N-ChannelMOSFET

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更新时间:2025-6-3 11:29:01
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