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2N6579晶体管资料

  • 2N6579别名：2N6579三极管、2N6579晶体管、2N6579晶体三极管

  • 2N6579生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • 2N6579制作材料：Si-NPN

  • 2N6579性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2N6579封装形式：直插封装

  • 2N6579极限工作电压：450V

  • 2N6579最大电流允许值：10A

  • 2N6579最大工作频率：>25MHZ

  • 2N6579引脚数：2

  • 2N6579最大耗散功率：125W

  • 2N6579放大倍数：

  • 2N6579图片代号：E-44

  • 2N6579vtest：450

  • 2N6579htest：25000100

  • 2N6579atest：10

  • 2N6579wtest：125

  • 2N6579代换 2N6579用什么型号代替：BUW24,BUW25,BUW26,BUW34,BUW35,BUW36,BUX17C,2SC3046,2N6251,3DK309B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6579

SINPNPOWERBJT

Description:SiNPNPowerBJT,I(C)=10Ato19.9A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6579

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •HighVoltage,HighSpeed •LowSaturationVoltage •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=350V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Off-linepowersupplies •Switch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6579

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N6579

iscSiliconNPNPowerTransistor

文件：219.07 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6579_17

iscSiliconNPNPowerTransistor

文件：219.07 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2N6579产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6579

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    TRANS GP BJT NPN 350V 12A 3PIN TO-3 - Bulk

2N6579供应商更多...

更新时间：2025-7-2 18:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2N6579
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