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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Samsung

三星

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Samsung

三星

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 50V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-29 16:06:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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专营铁帽CANCDIP
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