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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Samsung

三星

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Samsung

三星

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 50V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

Fairchild

仙童半导体

2N6428ATA_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6428ATA_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 50V 200mA

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-20 9:08:02
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