型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications????

NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.

SEMTECH

Semtech Corporation

SEMTECH

NPNGeneralPurposeAmplifier

Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA LowNoise:NF=8dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS

2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS

SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued)

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N5551TFR_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5551TFR_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-10 18:27:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)
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深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

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