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2N5551RLRM

Amplifier Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

2N5551RLRM

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:管件 描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications????

NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications.

SEMTECH

先之科

NPN General Purpose Amplifier

Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

Fairchild

仙童半导体

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=180V, VCEO=160V Low Leakage Current. : ICBO=50nA(Max.), VCB=120V Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.2V(Max.), IC=50mA, IB=5mA Low Noise : NF=8dB (Max.)

KEC

KEC(Korea Electronics)

COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

2N5400,2N5401 --> PNP 2N5550,2N5551 --> NPN

MICRO-ELECTRONICS

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER

Central

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:管件 描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5551RLRM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5551RLRM

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-2 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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