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2N5371晶体管资料

  • 2N5371别名：2N5371三极管、2N5371晶体管、2N5371晶体三极管

  • 2N5371生产厂家：美国通用电器公司_美国国民半导体公司_美国史普拉各

  • 2N5371制作材料：Si-NPN

  • 2N5371性质：通用型 （Uni）

  • 2N5371封装形式：直插封装

  • 2N5371极限工作电压：60V

  • 2N5371最大电流允许值：0.5A

  • 2N5371最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N5371引脚数：3

  • 2N5371最大耗散功率：0.36知耗散功率W

  • 2N5371放大倍数：

  • 2N5371图片代号：A-23

  • 2N5371vtest：60

  • 2N5371htest：999900

  • 2N5371atest：0.5

  • 2N5371wtest：0.36

  • 2N5371代换 2N5371用什么型号代替：BC337,BC377,BC635,BC637,BC737,BSV59,2N2220,2N2221,2N2221(A),2N2222,2N2222(A),3DK4A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5371

COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES

COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES THE ABOVE TYPES ARE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR CENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS.

MICRO-ELECTRONICS

2N5371

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091

Signal Transistor Silicon Darlington Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5371

Trans GP BJT NPN 30V

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5371产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency：

    250(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation：

    500mW

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    30V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.3@150mAV

  • Maximum Collector Base Voltage：

    40V

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Small Signal

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