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2N5329晶体管资料

  • 2N5329别名:2N5329三极管、2N5329晶体管、2N5329晶体三极管

  • 2N5329生产厂家:美国固体电子公司_美国硅晶体技术公司_TRW

  • 2N5329制作材料:Si-NPN

  • 2N5329性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 2N5329封装形式:特殊封装

  • 2N5329极限工作电压:150V

  • 2N5329最大电流允许值:20A

  • 2N5329最大工作频率:>80MHZ

  • 2N5329引脚数:3

  • 2N5329最大耗散功率:65W

  • 2N5329放大倍数

  • 2N5329图片代号:F-28

  • 2N5329vtest:150

  • 2N5329htest:80000100

  • 2N5329atest:20

  • 2N5329wtest:65

  • 2N5329代换 2N5329用什么型号代替:3DK10AE,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5329

NPN POWER TRANSISTORS

GEOMETRY 511 ● IC to 30 Amp ● Fast Switching

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5329

封装/外壳:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N5329

Trans GP BJT NPN 90V 20A 3-Pin TO-61

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5329产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Power Dissipation:

    113000mW

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    8V

  • Maximum DC Collector Current:

    20A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    90V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1.8@2mA@10mAV

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

更新时间:2026-5-14 19:39:00
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