2N3501(S)晶体管资料

  • 2N3501(S)别名:2N3501(S)三极管、2N3501(S)晶体管、2N3501(S)晶体三极管

  • 2N3501(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_美国国民半导体公司_美国晶

  • 2N3501(S)制作材料:Si-NPN

  • 2N3501(S)性质:通用型 (Uni)

  • 2N3501(S)封装形式:直插封装

  • 2N3501(S)极限工作电压:150V

  • 2N3501(S)最大电流允许值:0.3A

  • 2N3501(S)最大工作频率:>150MHZ

  • 2N3501(S)引脚数:3

  • 2N3501(S)最大耗散功率:1W

  • 2N3501(S)放大倍数:β>100

  • 2N3501(S)图片代号:C-78

  • 2N3501(S)vtest:150

  • 2N3501(S)htest:150000100

  • 2N3501(S)atest:0.3

  • 2N3501(S)wtest:1

  • 2N3501(S)代换 2N3501(S)用什么型号代替:BSS43,BSW68,2SC1860,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON)

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

boca

博卡

NPN BIPOLAR TRANSISTOR

RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366

Microsemi

美高森美

NPN SILICON TRANSISTOR

文件:69.36 Kbytes Page:2 Pages

Microsemi

美高森美

Silicon NPN Transistor

文件:110.63 Kbytes Page:2 Pages

Semicoa

RADIATION HARDENED

文件:111.61 Kbytes Page:3 Pages

Microsemi

美高森美

更新时间:2025-8-7 15:14:02
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