2N3467(S)晶体管资料

  • 2N3467(S)别名:2N3467(S)三极管、2N3467(S)晶体管、2N3467(S)晶体三极管

  • 2N3467(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国

  • 2N3467(S)制作材料:Si-PNP

  • 2N3467(S)性质:开关管 (S)

  • 2N3467(S)封装形式:直插封装

  • 2N3467(S)极限工作电压:40V

  • 2N3467(S)最大电流允许值:1A

  • 2N3467(S)最大工作频率:>175MHZ

  • 2N3467(S)引脚数:3

  • 2N3467(S)最大耗散功率:1W

  • 2N3467(S)放大倍数:β>40

  • 2N3467(S)图片代号:C-40

  • 2N3467(S)vtest:40

  • 2N3467(S)htest:175000100

  • 2N3467(S)atest:1

  • 2N3467(S)wtest:1

  • 2N3467(S)代换 2N3467(S)用什么型号代替:BSW23,2SA717,2SA799,2N3244,3CK10D,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Type 2N3467 Geometry 6706 Polarity PNP

Features: • General-purpose transistor for switching and amplifier applicatons. • Housed in a TO-39 case. • Also available in chip form using the 6706 chip geometry. • The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/348 which Semicoa meets in all cases.

Semicoa

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case

Central

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 40V IC = 1A

SEME-LAB

Seme LAB

Small Signal Transistor PNP- Saturated Switch Transistor Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 30 x 30 MILS Die Thickness 9.0 MILS Base Bonding Pad Area 3.85 x 4.20 MILS Emitter Bonding Pad Area 7.35 x 3.75 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 15,000Å

Central

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/348

Microsemi

美高森美

更新时间:2025-8-10 8:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NSC
24+
CAN3
2500
原装现货假一罚十
CENTRAL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
MSC
20+
TO-5
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FSC
9727+
CAN
282
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MICROCHIP
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
ray
23+
NA
121
专做原装正品,假一罚百!
24+
CAN
7000
MOT
98
25
公司优势库存 热卖中!!
MOT
23+
CAN
5000
原装正品,假一罚十
MICROSEMI
24+
SMD
1680
MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十

2N3467(S)数据表相关新闻