2N2879晶体管资料
2N2879别名：2N2879三极管、2N2879晶体管、2N2879晶体三极管
2N2879生产厂家：美国固体电子公司_美国硅晶体技术公司
2N2879制作材料：Si-NPN
2N2879性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
2N2879封装形式：特殊封装
2N2879极限工作电压：100V
2N2879最大电流允许值：5A
2N2879最大工作频率：>30MHZ
2N2879引脚数：3
2N2879最大耗散功率：30W
2N2879放大倍数：β>20
2N2879图片代号：F-28
2N2879vtest：100
2N2879htest：30000100
- 2N2879atest：5
2N2879wtest：30
2N2879代换 2N2879用什么型号代替：2N5002,2N5004,2N5284,2N5285,3DK105D,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N2879 | NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
| GE |   | |
2N2879 | 20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2N2879 | 封装/外壳：TO-111-4，接线柱 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MICROCHIP 微芯科技 | | |
2N2879 | Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
2N2879产品属性
- 类型
描述
- Maximum Power Dissipation：
30000mW
- Maximum DC Collector Current：
5A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@0.1mA@1mAV
- Configuration：
Single
- Category：
Bipolar Power
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