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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET,LogicLevel

文件:79.25 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-6-9 9:12:01
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