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211001B

Typical 1dB bandwidth of 9.65 MHz

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ITF

Integrated Technology Future

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 2110-2170 MHz

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Infineon

英飞凌

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

更新时间:2025-8-9 17:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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